Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20

产品名称

中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20

英文名称：Graphenea Graphene Field-Effect Transistor chipS20

产品概述

石墨烯场效应晶体管是一种基于石墨烯电学特性构建的半导体器件。 通常由石墨烯沟道、源极、漏极和栅极组成。石墨烯沟道是电流传输的主要路径，源极和漏极用于注入和收集载流子，栅极则通过施加电压来调控沟道中的载流子浓度。 当在栅极上施加电压时，会在石墨烯沟道中诱导出电荷，从而改变沟道的电导。通过控制栅极电压，可以有效地调节源极和漏极之间的电流，实现晶体管的开关功能。

技术参数 

芯片尺寸：10mm x10mm

芯片厚度 ：675μm

每个芯片的GFET数量：12

栅氧化层厚度：90nm

栅极氧化物材料：SiO2

基体电阻率 ：1-10 Ω.cm

封装形式：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4

Dirac点（背栅）：＜50 V

良率  ：＞75%

石墨烯场效应迁移率：＞1000cm2/V.s

产品特点

1、高灵敏度：由于石墨烯沟道的厚度很薄，所有电流都在其表面流动，因此GFET具有非常高的灵敏度。 

2、双极性特征：GFET可以使用电子和空穴两者形成电流，具有双极性特征。 

3、高频性能：GFET的开关频率可以接近太赫兹范围，比硅基FET快几倍。 

4、低功耗：石墨烯优异的导电性和导热性使其工作时的电能损耗更低、散热性能更好。

应用

电子器件：用于制造高频、高速、低功耗的电子器件，如放大器、开关和数字电路等。 

传感器：基于石墨烯的FET传感器适用于各种传感应用，包括气体传感、生物传感和环境传感等。 

能源领域：在能源存储和转换方面也有潜在的应用，如锂离子电池和超级电容器的电极材料等。