纯进口HQ graphene 硒化铋晶体

产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene 硒化铋晶体

英文名称：HQ graphene Bi2Se3 crystal

产品概述

Bi2Se3是块体晶体带隙约0.3 eV的拓扑绝缘体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。Bi2Se3属于15族过渡后金属三卤族。 Bi2Se3晶体具有典型的横向尺寸为~0.6-0.8 cm，具有金属外观。

Bi2Se3 is a topological insulator with a band gap of ~0.3 eV for bulk crystals. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Bi2Se3 belongs to the group-15 post-transition metal trichalcogenides.

The Bi2Se3 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and have a metallic appearance.

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~ 8mm

颜色: 黑灰色

产品特点

Electrical properties：Topological insulator

Crystal structure：Rhombohedral

Unit cell parameters：a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

应用领域

Bi₂Se₃（硒化铋）是一种三维拓扑绝缘体，具有多种潜在应用，包括但不限于以下领域：

拓扑绝缘体、量子霍尔效应相关研究：其表面存在受拓扑保护的、无能隙的金属态导电通道，可用于研究拓扑绝缘体的特性和量子霍尔效应等特殊的电学现象；

钠离子电池：在钠离子电池中，基于拓扑绝缘体 Bi₂Se₃的异质结硒化物可以展现出杰出的储钠快充能力。例如超薄的 Bi₂Se₃纳米片具有丰富的电荷快速转移表面，可作为穿入材料内部的电子平台，大大降低电荷传输阻力，提高整体导电性；两种硒化物之间丰富的界面能促进 Na⁺的迁移，并提供额外的活性位点；

热电材料：Bi₂Se₃具有一定的热电性能，可将热能转化为电能，在热电发电机中具有应用潜力；

电子学和器件：由于其特殊的电子性质，可被用于新型电子器件的开发，如拓扑绝缘体晶体管和拓扑绝缘体自旋电子学器件等，这些器件在量子计算和量子信息处理中有潜在应用；

光电器件：在薄层形式下可以表现出二维电学特性，其晶体和电子结构具有宽带光吸收、厚度依赖的表面带隙和偏振敏感光响应等特性，适用于光电子学领域，如可见-红外探测、太赫兹探测等；

磁电性质相关应用：表现出磁电性质，即在磁场中会产生电压，或施加电压时可改变其磁性，这使其在磁电传感器和记忆设备的开发方面具有潜在应用；

催化剂：将 Bi₂Se₃负载于 TiO₂上可以得到纳米复合材料，既提高 TiO₂载流子的有效分离能力，又增强 TiO₂对可见光吸收率，对聚丙烯酸丁酯和丁氧基丙酸丁酯展现出优异的降解活性和稳定性。