相关文章
您现在的位置:首页 > 产品展示 > 纳米材料 > 先丰纳米 > 纯进口HQ graphene二硒化钨晶体

纯进口HQ graphene二硒化钨晶体

简要描述:纯度: 99.995%, 尺寸: 约10mm

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2025-05-16
  • 访  问  量:77

产品名称

中文名称: 纯进口HQ graphene二硒化钨晶体

英文名称:HQ graphene WSe2

产品概述

WSe2是一种间接带隙为~1.3 eV的半导体,单层WSe2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。二硒化钨属于第六族过渡金属二硫族化合物(TMDC)。在HQ石墨烯中制备的WSe2晶体具有典型的横向尺寸为~0.8-1 cm,六角形和金属外观。我们制备了n型和p型WSe2,在室温下典型载流子密度为~1015cm-3。

WSe2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~1.3 eV, monolayer WSe2 has a direct band gap. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Tungsten Diselenide belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The WSe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. We produce both n-type and p-type WSe2, having typical charge carrier densities of ~1015cm-3 at room temperature. 

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~6-8 mm

颜色: 银灰色


产品特点

Electrical properties:Semiconductor,p-type

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Purity:>99.995%

应用领域

在电子学领域:

场效应晶体管(FET):由于其出色的电学性能,可用于制造高性能、低功耗的场效应晶体管。例如,在下一代纳米电子器件中,能够实现更小的尺寸和更优的性能。

集成电路:有望成为未来集成电路中的关键组件,提高芯片的集成度和运算速度。

在能源领域:

太阳能电池:可用作太阳能电池的吸收层材料,提高光电转换效率。比如在新型薄膜太阳能电池中,有助于增强对太阳光的吸收和电荷传输。

锂离子电池:作为锂离子电池的电极材料,表现出良好的电化学性能和循环稳定性。

在催化领域:

析氢反应(HER)催化:在电解水制氢中,是一种有潜力的析氢反应催化剂,能够降低反应所需的能量,提高产氢效率。

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7